TDA21570AUMA1

高频、薄型 DC-DC 转换器； 用于 CPU、GPU 和 DDR 内存阵列的电压调节器； 电信受控和非受控应用。 TDA21570 集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器 IC， 它与控制和同步 MOSFET 共同封装， 并带有一个有源二极管结构， 该结构能实现与肖特基二极管相似的低 Vsd， 且反向恢复电荷极少。 当遵循布局指南时， 该封装针对 PCB 布局、热传递、驱动器/MOSFET 控制时序以及最小化开关节点振铃进行了优化。 配对的栅极驱动器和 MOSFET 组合能够在前沿 CPU、GPU 和 DDR 内存设计所需的较低输出电压下实现更高效率。 与同类最佳的基于控制器的电感 DCR 感测方法相比， 内部 MOSFET 感测实现了卓越的电流感测精度。 保护功能包括 IC 温度报告和过温保护功能（带热关断的 OTP）、逐周期过流保护（OCP）、控制 MOSFET 短路检测（HSS - 高端短路检测）、VDRV 和自举欠压保护。 TDA21570 还具有自举电容“刷新”功能， 以防止自举电容过度放电。 高达 1.5 MHz 的开关频率操作可实现高性能瞬态响应， 允许输出电感以及输入和输出电容小型化， 同时保持行业领先的效率。 TDA21570 包含一个改进的高速 MOSFET 驱动器， 该驱动器经过优化， 可在高达 1.5 MHz 的频率下驱动一对共同封装的高端和低端 OptiMOS MOSFET。 使用传统电流感测方法（如 DCR 感测和 Rdson 感测）的 DC-DC 控制器通常存在局限性。 DCR 电流感测对电感的温度变化敏感， 需要使用热电偶在外部或在功率级内部进行温度补偿。 另一方面， Rdson 电流感测不依赖于电感， 但 MOSFET 的 rdson 存在温度系数。 此外， 很难对高端 MOSFET 实施 Rdson 电流感测， 因此用模拟电流代替， 而低端电流则通过 MOSFET 进行感测。 通过 TDA21570 中的先进电流镜感测， 在实现卓越精度的同时消除了所有这些局限性。 高端和低端 MOSFET 上的电流都在一个感测 MOSFET 上进行镜像。