TDA21520AUMA1

高频、薄型DC - DC转换器； 用于DDR内存阵列和低电流电压轨的电压调节器； TDA21520集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC， 它与控制和同步MOSFET共同封装， 还有一个有源二极管结构， 该结构能实现类似于肖特基二极管的低Vsd， 且反向恢复电荷极少。 当遵循布局指南时， 该封装针对PCB布局、热传递、驱动器/MOSFET控制时序和最小化开关节点振铃进行了优化。 配对的栅极驱动器和MOSFET组合可在较低输出电压下实现更高效率。 内部MOSFET感测与同类最佳的基于控制器的电感DCR感测方法相比， 实现了卓越的电流感测精度。 保护功能包括IC温度报告和过温保护功能（带热关断的OTP）、逐周期过流保护（OCP）、控制MOSFET短路检测（HSS - 高端短路检测）、VDRV和自举欠压保护。 TDA21520还具有自举电容“刷新”功能， 以防止自举电容过度放电。 高达1.5 MHz的开关频率运行可实现高性能瞬态响应， 允许输出电感器以及输入和输出电容器小型化， 同时保持行业领先的效率。 TDA21520包含一个改进的高速MOSFET驱动器， 该驱动器经过优化， 可驱动一对共同封装的高端和低端OptiMOS MOSFET， 频率高达1.5 MHz。 使用传统电流感测方法（如DCR感测和Rdson感测）的DC - DC控制器通常存在局限性。 DCR电流感测对电感器的温度变化敏感， 需要使用热电偶在外部或在功率级内部进行温度补偿。 另一方面， Rdson电流感测不依赖于电感器， 但MOSFET的rdson存在温度系数。 此外， 很难对高端MOSFET实现rdson电流感测， 因此用模拟电流代替， 而低端电流则通过MOSFET进行感测。 通过TDA21520中先进的电流镜感测， 消除了所有这些局限性， 同时实现了卓越的精度。 高端和低端MOSFET上的电流都在一个感测MOSFET上镜像， 该感测MOSFET是主MOSFET器件的一部分， 因此具有固有的温度补偿， 无需额外的电路。 对两个MOSFET进行实际电流感测可确保系统始终处于监控状态。