TD352IDT
IC
SOIC-8
可供量大可议
TD352IDT
栅极驱动IC TD352IDT
品牌
ST
封装
SOIC-8
库存
200
货期
现货
TD352IDT参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 24+ |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 驱动通道数 | 1 |
| 拉电流(IOH) | 1.3A |
| 上升时间(tr) | 100ns |
| 传播延迟 tpLH | 2ns |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 功能特性 | 死区时间控制； 过流保护 |
| 分类 | 栅极驱动芯片 |
|---|---|
| 库存 | 200 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 负载类型 | IGBT |
| 灌电流(IOL) | 1.7A |
| 工作电压 | 12V~26V |
| 下降时间(tf) | 100ns |
| 特性 | 欠压保护(UVP)； 过流保护(OCP) |
| 静态电流(Iq) | 2.5mA |
TD352IDT概述
栅极驱动IC TD352IDT
TD352IDT特性
暂无产品特性。
TD352IDT应用领域
暂无应用领域。