TD100N06
自营可供
IC
TO-252
TD100N06
N沟道增强型功率MOSFET， 60V耐压， TO-252贴片封装， 典型导通电阻5.4mΩ@10V， 低栅极电荷， 100% UIS雪崩测试。 适用于负载开关、PWM控制、电源管理等中大电流场景。
品牌
TDSEMIC
封装
TO-252
交期
现货
批次
—
TD100N06参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | TDSEMIC(拓电半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 商品型号 | TD100N06 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.0004 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 95 |
| 商品名称 | N沟道MOSFET |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
TD100N06概述
N沟道增强型功率MOSFET， 60V耐压， TO-252贴片封装， 典型导通电阻5.4mΩ@10V， 低栅极电荷， 100% UIS雪崩测试。 适用于负载开关、PWM控制、电源管理等中大电流场景。