TC8220K6-G

由六对高压、低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成， 采用12引脚DFN封装。 所有MOSFET都集成了输出漏极高压二极管、栅源电阻和栅源齐纳二极管钳位， 适用于高压脉冲发生器应用。 互补、高速、高压、栅极钳位的N沟道和P沟道MOSFET对采用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。 这种组合使器件具备双极晶体管的功率处理能力， 以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。 所有MOS结构的特性使这些器件不会出现热失控和热致二次击穿。 适用于需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入和输出电容以及快速开关速度的各种开关和放大应用。