TC6320TG-G

由高压、低阈值 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 组成， 采用 8 引脚 SOIC 和 DFN 封装。 两个 MOSFET 都集成了栅源电阻和栅源齐纳二极管钳位， 适用于高压脉冲应用。 是互补、高速、高压、栅极钳位的 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 对， 采用先进的垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。 结合了双极晶体管的功率处理能力以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。 具有 MOS 结构的特性， 不会出现热失控和热致二次击穿。 适用于需要非常低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。