TC6320K6-G

由高压、低阈值的N沟道和P沟道MOSFET组成， 采用8引脚SOIC和DFN封装。 两个MOSFET都集成了栅源电阻和栅源齐纳二极管钳位， 适用于高压脉冲应用。 这是一款互补、高速、高压、栅极钳位的N沟道和P沟道MOSFET对， 采用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。 这种组合使器件具备双极晶体管的功率处理能力， 以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。 作为所有MOS结构的特性， 该器件不会出现热失控和热致二次击穿。 适用于需要非常低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。