TC58NYG2S0HBAI4
IC
TFBGA-63(9x11)
可供量大可议
TC58NYG2S0HBAI4
TC58NYG2S0HBAI4是一款1.8V 4 Gbit NAND E2PROM， 组织结构为(4096 + 256)字节 x 64 页 x 2048 块。 每个页面大小为4352字节， 每个块大小为(256K + 16K)字节。
品牌
KIOXIA
封装
TFBGA-63(9x11)
库存
9
货期
现货
TC58NYG2S0HBAI4参数
| 封装 | TFBGA-63(9x11) |
|---|---|
| 品牌 | KIOXIA(铠侠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | NAND FLASH |
|---|---|
| 库存 | 9 |
TC58NYG2S0HBAI4概述
TC58NYG2S0HBAI4是一款1.8V 4 Gbit NAND E2PROM， 组织结构为(4096 + 256)字节 x 64 页 x 2048 块。 每个页面大小为4352字节， 每个块大小为(256K + 16K)字节。
TC58NYG2S0HBAI4特性
暂无产品特性。
TC58NYG2S0HBAI4应用领域
暂无应用领域。