TC2320TG-G

由高压、低阈值的N沟道和P沟道MOSFET组成， 采用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺， 结合了双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数， 无热失控和热致二次击穿现象。 适用于需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。