TC1550TG-G

由高压 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 组成， 采用先进的垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。 结合了双极晶体管的功率处理能力和 MOS 器件的高输入阻抗与正温度系数特性， 无热失控和热致二次击穿问题。