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T2N7002BK, LM
IC

SOT-23

可供量大可议

T2N7002BK, LM

特性:ESD(HBM) 等级:2 kV。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 1.05Ω(典型值)(@ VGS = 10V)。 -RDS(ON) = 1.15Ω(典型值)(@ VGS = 5.0V)。 -RDS(ON) = 1.2Ω(典型值)(@ VGS = 4.5V)。 应用:高速开关

品牌

TOSHIBA

封装

SOT-23

库存

35,750

货期

现货

T2N7002BK, LM参数

封装SOT-23
品牌TOSHIBA(东芝)
MOQ / SPQ1 / 50
分类场效应管(MOSFET)
库存35750

T2N7002BK, LM概述

特性:ESD(HBM) 等级:2 kV。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 1.05Ω(典型值)(@ VGS = 10V)。 -RDS(ON) = 1.15Ω(典型值)(@ VGS = 5.0V)。 -RDS(ON) = 1.2Ω(典型值)(@ VGS = 4.5V)。 应用:高速开关

T2N7002BK, LM特性

暂无产品特性。

T2N7002BK, LM应用领域

暂无应用领域。

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