T16M35T600B
IC
TO-220AB
可供量大可议
T16M35T600B
特性：阻断电压达600V。 最小化保护用缓冲网络。 通态电流额定值为16A RMS。 高浪涌电流能力：150A。 玻璃钝化结， 确保可靠性和一致性。 可在三个象限（Q1、Q2和Q3）工作。 无铅涂层； 符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件
品牌
DIODES
封装
TO-220AB
库存
19
货期
现货
T16M35T600B参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 晶闸管(可控硅)/模块 |
|---|---|
| 库存 | 19 |
T16M35T600B概述
特性：阻断电压达600V。 最小化保护用缓冲网络。 通态电流额定值为16A RMS。 高浪涌电流能力：150A。 玻璃钝化结， 确保可靠性和一致性。 可在三个象限（Q1、Q2和Q3）工作。 无铅涂层； 符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件
T16M35T600B特性
暂无产品特性。
T16M35T600B应用领域
暂无应用领域。