T12N10-VB TO251
IC
TO-251
可供量大可议
T12N10-VB TO251
TO251； N—Channel沟道, 100V； 15A； RDS(ON)=110mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
品牌
VBsemi
封装
TO-251
库存
10
货期
现货
T12N10-VB TO251参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
T12N10-VB TO251概述
TO251； N—Channel沟道, 100V； 15A； RDS(ON)=110mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
T12N10-VB TO251特性
暂无产品特性。
T12N10-VB TO251应用领域
暂无应用领域。