SiZ918DT-T1-GE3
IC
DFN-8
可供量大可议
SiZ918DT-T1-GE3
特性：采用TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：笔记本系统电源。 POL同步降压转换器
品牌
VISHAY
封装
DFN-8
库存
8
货期
现货
SiZ918DT-T1-GE3参数
| 封装 | DFN-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
SiZ918DT-T1-GE3概述
特性：采用TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：笔记本系统电源。 POL同步降压转换器
SiZ918DT-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SiZ918DT-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。