SiZ254DT-T1-GE3
IC
PowerWDFN-8
可供量大可议
SiZ254DT-T1-GE3
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 集成MOSFET半桥功率级。 优化的Qgs/Qgd比改善开关特性。 应用：POL同步降压转换器。 电信DC/DC
品牌
VISHAY
封装
PowerWDFN-8
库存
1
货期
现货
SiZ254DT-T1-GE3参数
| 封装 | PowerWDFN-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
SiZ254DT-T1-GE3概述
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 集成MOSFET半桥功率级。 优化的Qgs/Qgd比改善开关特性。 应用：POL同步降压转换器。 电信DC/DC
SiZ254DT-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SiZ254DT-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。