SiLM5350MDDCM-DG
IC
SOP-8W
可供量大可议
SiLM5350MDDCM-DG
是单通道隔离栅极驱动器， 适用于IGBT和MOSFET， 具有10A源极和10A灌极峰值输出电流。 提供可单独控制上升和下降时间的分离输出， 有内部钳位以防止米勒电流引起的误开启。 在SOP8W封装中具有5000 VRMS隔离， 在SOP8封装中具有3000 VRMS隔离（符合UL1577标准）。 相比基于标准光耦合器的栅极驱动器， 带来显著的性能和可靠性提升， 包括高共模瞬态抗扰度（CMTI）、低传播延迟、小脉冲宽度失真和更高的工作温度。 适用于各种类型的电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源和电器。
品牌
Sillumin
封装
SOP-8W
库存
1
货期
现货
SiLM5350MDDCM-DG参数
| 封装 | SOP-8W |
|---|---|
| 品牌 | Sillumin(数明半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 负载类型 | IGBT； MOSFET |
| 输入侧工作电压 | 3V~18V |
| 灌电流(IOL) | 10A |
| 上升时间(tr) | 15ns |
| 传播延迟 tpLH | 130ns |
| 静态电流(Iq) | 2mA |
| 驱动侧工作电压 | 30V |
| 分类 | 隔离式栅极驱动器 |
|---|---|
| 库存 | 1 |
| 隔离电压(Vrms) | 5000V |
| 通道数 | 1 |
| 拉电流(IOH) | 10A |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
| 下降时间(tf) | 15ns |
| 传播延迟 tpHL | 130ns |
| CMTI(kV/us) | 150kV/us |
| 功能特性 | 米勒钳位保护 |
SiLM5350MDDCM-DG概述
是单通道隔离栅极驱动器， 适用于IGBT和MOSFET， 具有10A源极和10A灌极峰值输出电流。 提供可单独控制上升和下降时间的分离输出， 有内部钳位以防止米勒电流引起的误开启。 在SOP8W封装中具有5000 VRMS隔离， 在SOP8封装中具有3000 VRMS隔离（符合UL1577标准）。 相比基于标准光耦合器的栅极驱动器， 带来显著的性能和可靠性提升， 包括高共模瞬态抗扰度（CMTI）、低传播延迟、小脉冲宽度失真和更高的工作温度。 适用于各种类型的电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源和电器。
SiLM5350MDDCM-DG特性
暂无产品特性。
SiLM5350MDDCM-DG应用领域
暂无应用领域。