SiLM5346ATCR-DG
IC
SOP-6W-T
可供量大可议
SiLM5346ATCR-DG
是一种光兼容、单通道、隔离的MOSFET、IGBT栅极驱动器, 具有不同的驱动电流能力和欠压锁定(UVLO)电压水平。 峰值输出电流为1.0A至4.0A。 关键特性和特点显著提升了性能和可靠性, 同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚的兼容性。 性能亮点包括高共模瞬态抗扰度(CMTI)、低传播延迟和小脉冲宽度失真。 输入级是模拟二极管, 与传统LED相比具有长期可靠性和出色的老化特性。 采用SOP6w-T封装, 爬电距离和电气间隙≥8.0mm, 模塑料来自材料组II, 相比漏电起痕指数(CTI)>400V。 高性能和可靠性使其适用于各种类型的电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源和电器。
品牌
Sillumin
封装
SOP-6W-T
库存
1,042
货期
现货
SiLM5346ATCR-DG参数
| 封装 | SOP-6W-T |
|---|---|
| 品牌 | Sillumin(数明半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 隔离式栅极驱动器 |
|---|---|
| 库存 | 1042 |
SiLM5346ATCR-DG概述
是一种光兼容、单通道、隔离的MOSFET、IGBT栅极驱动器, 具有不同的驱动电流能力和欠压锁定(UVLO)电压水平。 峰值输出电流为1.0A至4.0A。 关键特性和特点显著提升了性能和可靠性, 同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚的兼容性。 性能亮点包括高共模瞬态抗扰度(CMTI)、低传播延迟和小脉冲宽度失真。 输入级是模拟二极管, 与传统LED相比具有长期可靠性和出色的老化特性。 采用SOP6w-T封装, 爬电距离和电气间隙≥8.0mm, 模塑料来自材料组II, 相比漏电起痕指数(CTI)>400V。 高性能和可靠性使其适用于各种类型的电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源和电器。
SiLM5346ATCR-DG特性
暂无产品特性。
SiLM5346ATCR-DG应用领域
暂无应用领域。
