SiHU6N80E-VB
IC
TO-251
可供量大可议
SiHU6N80E-VB
TO251； N—Channel沟道, 800V； 6A； RDS(ON)=850mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-251
库存
5
货期
现货
SiHU6N80E-VB参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
SiHU6N80E-VB概述
TO251； N—Channel沟道, 800V； 6A； RDS(ON)=850mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
SiHU6N80E-VB特性
暂无产品特性。
SiHU6N80E-VB应用领域
暂无应用领域。