SiHD6N65E-VB
IC
TO-252
可供量大可议
SiHD6N65E-VB
TO252； N—Channel沟道, 700V； 8A； RDS(ON)=560mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
5
货期
现货
SiHD6N65E-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
SiHD6N65E-VB概述
TO252； N—Channel沟道, 700V； 8A； RDS(ON)=560mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
SiHD6N65E-VB特性
暂无产品特性。
SiHD6N65E-VB应用领域
暂无应用领域。