SiHD11N80AE-VB
IC
TO-252
可供量大可议
SiHD11N80AE-VB
TO252； N—Channel沟道, 800V； 9A； RDS(ON)=510mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
2
货期
现货
SiHD11N80AE-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
SiHD11N80AE-VB概述
TO252； N—Channel沟道, 800V； 9A； RDS(ON)=510mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
SiHD11N80AE-VB特性
暂无产品特性。
SiHD11N80AE-VB应用领域
暂无应用领域。