SiHB12N60E-GE3-VB
IC
TO-263(D2PAK)
可供量大可议
SiHB12N60E-GE3-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型MOSFET， 采用Plannar技术制造， 适用于各种高压应用场景。 TO263； N—Channel沟道, 650V； 18A； RDS(ON)=360mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-263(D2PAK)
库存
20
货期
现货
SiHB12N60E-GE3-VB参数
| 封装 | TO-263(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
SiHB12N60E-GE3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型MOSFET， 采用Plannar技术制造， 适用于各种高压应用场景。 TO263； N—Channel沟道, 650V； 18A； RDS(ON)=360mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
SiHB12N60E-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SiHB12N60E-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。