SiA975DJ-T1-GE3-VB
IC
DFN-6(2x2)
可供量大可议
SiA975DJ-T1-GE3-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双P型MOSFET， 采用Trench技术， 适用于各种电源和功率控制应用。 DFN6(2X2)； 2个P—Channel沟道, -30V； -5.4A； RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
品牌
VBsemi
封装
DFN-6(2x2)
库存
7
货期
现货
SiA975DJ-T1-GE3-VB参数
| 封装 | DFN-6(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7 |
SiA975DJ-T1-GE3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双P型MOSFET， 采用Trench技术， 适用于各种电源和功率控制应用。 DFN6(2X2)； 2个P—Channel沟道, -30V； -5.4A； RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
SiA975DJ-T1-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SiA975DJ-T1-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。