SiA444DJT-T1-GE3-VB
IC
DFN-6(2x2)
可供量大可议
SiA444DJT-T1-GE3-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N沟道场效应管， 采用Trench技术， 适用于需要小型尺寸和低功率的应用场合， 能够在紧凑空间内提供可靠的功率控制和稳定性。 DFN6(2X2)； N—Channel沟道, 30V； 6A； RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.2~2.5V
品牌
VBsemi
封装
DFN-6(2x2)
库存
956
货期
现货
SiA444DJT-T1-GE3-VB参数
| 封装 | DFN-6(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 956 |
SiA444DJT-T1-GE3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N沟道场效应管， 采用Trench技术， 适用于需要小型尺寸和低功率的应用场合， 能够在紧凑空间内提供可靠的功率控制和稳定性。 DFN6(2X2)； N—Channel沟道, 30V； 6A； RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.2~2.5V
SiA444DJT-T1-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SiA444DJT-T1-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。