Si4943CDY-T1-GE3
自营可供
IC
8-SO
Si4943CDY-T1-GE3
MOSFET-阵列-2-个-P-沟道（双）-20V-8A-3.1W-表面贴装型-8-SO
品牌
VISHAY
封装
8-SO
交期
现货
批次
23+
Si4943CDY-T1-GE3参数
| 封装 | 8-SO |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 23+ |
| 数量 | 2个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.2mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 1.945nF |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10,467 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 385pF |
Si4943CDY-T1-GE3概述
MOSFET-阵列-2-个-P-沟道（双）-20V-8A-3.1W-表面贴装型-8-SO