Si4178DY-T1-GE3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
Si4178DY-T1-GE3-HXY
Si4178DY-T1-GE3 N沟道MOSFET采用SOP-8封装形式， 专为高效能、大电流应用设计。 器件提供30V的最大漏源电压(VDSS)， 并能稳定传输8.5A连续电流， 其出色的导通电阻仅为14mΩ， 确保在高负载条件下仍能保持高效率和低功耗。 广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场景， 凭借卓越的电流处理能力和优异的电气性能， 为您的电路设计提供有力支持。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
35
货期
现货
Si4178DY-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 35 |
Si4178DY-T1-GE3-HXY概述
Si4178DY-T1-GE3 N沟道MOSFET采用SOP-8封装形式， 专为高效能、大电流应用设计。 器件提供30V的最大漏源电压(VDSS)， 并能稳定传输8.5A连续电流， 其出色的导通电阻仅为14mΩ， 确保在高负载条件下仍能保持高效率和低功耗。 广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场景， 凭借卓越的电流处理能力和优异的电气性能， 为您的电路设计提供有力支持。
Si4178DY-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
Si4178DY-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。