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Si4134DY-HXY
IC

SOP-8

可供量大可议

Si4134DY-HXY

这款N型场效应管具有8.5A的电流承载能力, 最大30V的电压承受能力, 内阻典型值为14mΩ, 适用于射频和通信领域, 例如射频放大器、混频器等。 其栅源电压VGS为20V。 该元器件的高性能和稳定性能满足各类应用需求, 确保系统可靠运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOP-8

库存

15

货期

现货

Si4134DY-HXY参数

封装SOP-8
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存15

Si4134DY-HXY概述

这款N型场效应管具有8.5A的电流承载能力, 最大30V的电压承受能力, 内阻典型值为14mΩ, 适用于射频和通信领域, 例如射频放大器、混频器等。 其栅源电压VGS为20V。 该元器件的高性能和稳定性能满足各类应用需求, 确保系统可靠运行。

Si4134DY-HXY特性

暂无产品特性。

Si4134DY-HXY应用领域

暂无应用领域。

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