Si2374DS-T1-GE3-HXY

Si2374DS-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOSFET， 采用紧凑型SOT-23封装， 专为高效率和小型化电子设备设计。 该器件提供20V的最大漏源电压(VDSS)， 可承载3A的连续漏极电流(ID)， 并具有出色的23mΩ导通电阻(RD(on))， 确保了高效能和低功耗表现。 广泛应用于电源管理、负载开关、电池保护等电路中， 是打造节能型、紧凑电子解决方案的理想半导体组件。