Si2347DS-T1-GE3-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
Si2347DS-T1-GE3-HXY
Si2347DS-T1-GE3 是一款高性能P沟道MOS管， 采用经济实用的SOT-23封装， 适用于各类精密电子设计。 该器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)， 可稳定输出6A的漏极电流(ID)， 并以28mΩ的低导通电阻(RD(on))实现高效能与低功耗。 广泛应用于电源切换、负载驱动、电池保护等领域， 是您优化电路设计， 提升系统性能的理想半导体器件选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
470
货期
现货
Si2347DS-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 470 |
Si2347DS-T1-GE3-HXY概述
Si2347DS-T1-GE3 是一款高性能P沟道MOS管， 采用经济实用的SOT-23封装， 适用于各类精密电子设计。 该器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)， 可稳定输出6A的漏极电流(ID)， 并以28mΩ的低导通电阻(RD(on))实现高效能与低功耗。 广泛应用于电源切换、负载驱动、电池保护等领域， 是您优化电路设计， 提升系统性能的理想半导体器件选择。
Si2347DS-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
Si2347DS-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。