Si2343DS-T1-E3-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
Si2343DS-T1-E3-HXY
Si2343DS-T1-E3 是一款高性能P沟道MOSFET， 采用小型SOT-23封装， 专为高效能和低功耗电路设计。 该器件支持高达30V的漏源电压(VDSS)， 能承载最大4.1A的连续漏极电流(ID)， 且具备48mΩ的导通电阻(RD(on))， 确保了卓越的能效和可靠性。 广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等领域， 是构建紧凑、节能型电子设备的理想半导体元件。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
1,300
货期
现货
Si2343DS-T1-E3-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1300 |
Si2343DS-T1-E3-HXY概述
Si2343DS-T1-E3 是一款高性能P沟道MOSFET， 采用小型SOT-23封装， 专为高效能和低功耗电路设计。 该器件支持高达30V的漏源电压(VDSS)， 能承载最大4.1A的连续漏极电流(ID)， 且具备48mΩ的导通电阻(RD(on))， 确保了卓越的能效和可靠性。 广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等领域， 是构建紧凑、节能型电子设备的理想半导体元件。
Si2343DS-T1-E3-HXY特性
暂无产品特性。
Si2343DS-T1-E3-HXY应用领域
暂无应用领域。