Si2342DS-T1-GE3-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
Si2342DS-T1-GE3-HXY
Si2342DS-T1-GE3 是一款高品质N沟道MOS管， 采用节省空间的SOT-23封装， 特别适合现代紧凑型电路设计需求。 其关键特性包括额定电压VDSS高达20V， 能够承载高达7A的连续电流， 展现强劲的电力驱动能力。 更值得一提的是， 器件的导通电阻RD(on)低至15mΩ， 确保在工作状态下具有极低的能量损耗与高效的能效表现， 是您优化系统性能、提高能源利用率的绝佳选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
40
货期
现货
Si2342DS-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
Si2342DS-T1-GE3-HXY概述
Si2342DS-T1-GE3 是一款高品质N沟道MOS管， 采用节省空间的SOT-23封装， 特别适合现代紧凑型电路设计需求。 其关键特性包括额定电压VDSS高达20V， 能够承载高达7A的连续电流， 展现强劲的电力驱动能力。 更值得一提的是， 器件的导通电阻RD(on)低至15mΩ， 确保在工作状态下具有极低的能量损耗与高效的能效表现， 是您优化系统性能、提高能源利用率的绝佳选择。
Si2342DS-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
Si2342DS-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。