Si2338DS-T1-GE3-HXY

Si2338DS-T1-GE3 是一款N沟道MOSFET， 采用紧凑型SOT-23封装， 尤其适合于高密度电路设计。 器件提供30V的最大漏源电压(VDSS)， 具备强大的电流承载能力， 可持续处理5.8A漏极电流(ID)， 且在导通状态下具有极低的22mR导通电阻(RD(on))， 有效提升了功率转换效率。 此款MOS管广泛应用于开关电源、电机驱动、以及其他高功率电子设备中， 助力实现高效能、低损耗的系统方案。