Si2328DS-T1-GE3-HXY
IC
SOT-23-3L
可供量大可议
Si2328DS-T1-GE3-HXY
Si2328DS-T1-GE3 N沟道MOSFET， 采用经济高效的SOT-23-3L封装， 专为要求严苛的电力应用设计。 器件具备强大性能， 最高工作电压VDSS达100V， 连续电流承载能力高达5A， 同时具有出色的100mR导通电阻， 确保在高功率运行下也能保持低能耗。 此款MOS管广泛应用在电源管理、马达驱动、逆变器等领域， 是众多工程师设计解决方案的首选组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23-3L
库存
5
货期
现货
Si2328DS-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | SOT-23-3L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
Si2328DS-T1-GE3-HXY概述
Si2328DS-T1-GE3 N沟道MOSFET， 采用经济高效的SOT-23-3L封装， 专为要求严苛的电力应用设计。 器件具备强大性能， 最高工作电压VDSS达100V， 连续电流承载能力高达5A， 同时具有出色的100mR导通电阻， 确保在高功率运行下也能保持低能耗。 此款MOS管广泛应用在电源管理、马达驱动、逆变器等领域， 是众多工程师设计解决方案的首选组件。
Si2328DS-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
Si2328DS-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。