Si2324DS-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
Si2324DS-HXY
这款N型场效应管具有3A的电流承载能力和100V的耐压特性, 内阻典型值为210mΩ, 适用于高效能电源管理。 其VGS为20V, 确保稳定的开关控制。 该元器件设计精良, 适用于多种高性能电子设备, 如数据中心、通信基础设施和自动化控制系统, 提供卓越的性能和可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
10
货期
现货
Si2324DS-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
Si2324DS-HXY概述
这款N型场效应管具有3A的电流承载能力和100V的耐压特性, 内阻典型值为210mΩ, 适用于高效能电源管理。 其VGS为20V, 确保稳定的开关控制。 该元器件设计精良, 适用于多种高性能电子设备, 如数据中心、通信基础设施和自动化控制系统, 提供卓越的性能和可靠性。
Si2324DS-HXY特性
暂无产品特性。
Si2324DS-HXY应用领域
暂无应用领域。
