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Si2324DS-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

Si2324DS-HXY

这款N型场效应管具有3A的电流承载能力和100V的耐压特性, 内阻典型值为210mΩ, 适用于高效能电源管理。 其VGS为20V, 确保稳定的开关控制。 该元器件设计精良, 适用于多种高性能电子设备, 如数据中心、通信基础设施和自动化控制系统, 提供卓越的性能和可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

10

货期

现货

Si2324DS-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存10

Si2324DS-HXY概述

这款N型场效应管具有3A的电流承载能力和100V的耐压特性, 内阻典型值为210mΩ, 适用于高效能电源管理。 其VGS为20V, 确保稳定的开关控制。 该元器件设计精良, 适用于多种高性能电子设备, 如数据中心、通信基础设施和自动化控制系统, 提供卓越的性能和可靠性。

Si2324DS-HXY特性

暂无产品特性。

Si2324DS-HXY应用领域

暂无应用领域。

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