Si2323DS-T1-GE3-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
Si2323DS-T1-GE3-HXY
Si2323DS-T1-GE3 是一款高性能P沟道MOSFET， 采用紧凑型SOT-23封装， 专为现代微小电子设备设计。 主要参数包括最大工作电压VDSS为20V， 能稳定传输5A的漏极电流； 导通电阻RD(on)仅为30mΩ， 有效降低能耗， 提高系统效能。 广泛应用在电源管理、负载开关、电池保护等多个领域， 是您追求高集成度与节能效果的理想MOS管选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
2,460
货期
现货
Si2323DS-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2460 |
Si2323DS-T1-GE3-HXY概述
Si2323DS-T1-GE3 是一款高性能P沟道MOSFET， 采用紧凑型SOT-23封装， 专为现代微小电子设备设计。 主要参数包括最大工作电压VDSS为20V， 能稳定传输5A的漏极电流； 导通电阻RD(on)仅为30mΩ， 有效降低能耗， 提高系统效能。 广泛应用在电源管理、负载开关、电池保护等多个领域， 是您追求高集成度与节能效果的理想MOS管选择。
Si2323DS-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
Si2323DS-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。