Si2316BDS-T1-GE3-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
Si2316BDS-T1-GE3-HXY
Si2316BDS-T1-GE3 是一款高效能N沟道MOSFET， 采用紧凑型SOT-23封装， 专为现代微小化电子设计。 其关键特性包括30V的最大漏源电压(VDSS)， 能承载4A连续漏极电流(ID)， 确保强大的电流处理能力。 导通电阻(RD(on))仅为29mΩ， 有效减少功耗， 提升系统能效比。 这款MOS管广泛应用在电源转换、负载开关、电机驱动等场景， 以卓越的性能与稳定性成为高集成度、低功耗解决方案的理想组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
10
货期
现货
Si2316BDS-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
Si2316BDS-T1-GE3-HXY概述
Si2316BDS-T1-GE3 是一款高效能N沟道MOSFET， 采用紧凑型SOT-23封装， 专为现代微小化电子设计。 其关键特性包括30V的最大漏源电压(VDSS)， 能承载4A连续漏极电流(ID)， 确保强大的电流处理能力。 导通电阻(RD(on))仅为29mΩ， 有效减少功耗， 提升系统能效比。 这款MOS管广泛应用在电源转换、负载开关、电机驱动等场景， 以卓越的性能与稳定性成为高集成度、低功耗解决方案的理想组件。
Si2316BDS-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
Si2316BDS-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。