Si2312BDS-T1-GE3-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
Si2312BDS-T1-GE3-HXY
Si2312BDS-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOSFET， 采用紧凑型SOT-23封装， 专为高集成度和低功耗应用设计。 器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)， 并可承受3A的连续漏极电流(ID)， 凭借其卓越的23mΩ导通电阻(RD(on))， 在保证高效率的同时有效降低功耗。 广泛应用于电源转换、负载开关、电池保护等电路中， 是实现小型化、节能电子设备的理想半导体元件。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
30
货期
现货
Si2312BDS-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
Si2312BDS-T1-GE3-HXY概述
Si2312BDS-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOSFET， 采用紧凑型SOT-23封装， 专为高集成度和低功耗应用设计。 器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)， 并可承受3A的连续漏极电流(ID)， 凭借其卓越的23mΩ导通电阻(RD(on))， 在保证高效率的同时有效降低功耗。 广泛应用于电源转换、负载开关、电池保护等电路中， 是实现小型化、节能电子设备的理想半导体元件。
Si2312BDS-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
Si2312BDS-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。