Si2308CDS-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
Si2308CDS-HXY
这款N型场效应管具有出色的性能参数:最大承受电流高达3A, 额定电压为60V, 内阻典型值为72mR, 栅源极电压VGS为20V。 适用于多种应用场景, 如电源管理、信号放大及开关控制等, 确保系统稳定运行。 低内阻使其在导通时损耗低, 提高能效。 高可靠性与稳定性满足各类需求, 助力提升整体系统性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
3,085
货期
现货
Si2308CDS-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3085 |
Si2308CDS-HXY概述
这款N型场效应管具有出色的性能参数:最大承受电流高达3A, 额定电压为60V, 内阻典型值为72mR, 栅源极电压VGS为20V。 适用于多种应用场景, 如电源管理、信号放大及开关控制等, 确保系统稳定运行。 低内阻使其在导通时损耗低, 提高能效。 高可靠性与稳定性满足各类需求, 助力提升整体系统性能。
Si2308CDS-HXY特性
暂无产品特性。
Si2308CDS-HXY应用领域
暂无应用领域。
