Si2308BDS-T1-E3-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
Si2308BDS-T1-E3-HXY
Si2308BDS-T1-E3 N沟道MOSFET采用小型化SOT-23封装， 专为高密度电子设计提供解决方案。 此器件具备强大性能， 工作电压高达60V， 连续输出电流达3A， 且拥有优秀的导通电阻仅为80mΩ， 显著提升系统效率并降低能耗。 适用于电源转换、负载开关以及电机驱动等广泛应用领域， 以卓越的品质与可靠的性能， 助您的电路设计实现效能升级。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
40
货期
现货
Si2308BDS-T1-E3-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
Si2308BDS-T1-E3-HXY概述
Si2308BDS-T1-E3 N沟道MOSFET采用小型化SOT-23封装， 专为高密度电子设计提供解决方案。 此器件具备强大性能， 工作电压高达60V， 连续输出电流达3A， 且拥有优秀的导通电阻仅为80mΩ， 显著提升系统效率并降低能耗。 适用于电源转换、负载开关以及电机驱动等广泛应用领域， 以卓越的品质与可靠的性能， 助您的电路设计实现效能升级。
Si2308BDS-T1-E3-HXY特性
暂无产品特性。
Si2308BDS-T1-E3-HXY应用领域
暂无应用领域。