Si2307BDS-T1-E3-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
Si2307BDS-T1-E3-HXY
Si2307BDS-T1-E3 MOS管是一款P沟道MOSFET器件， 采用紧凑耐用的SOT-23封装， 适用于各种小型化设计。 它拥有30V的高工作电压VDSS和4.1A的大电流处理能力， 确保在中高功率应用中的稳定性。 此外， 48mR的导通电阻实现了高效能量转换和低功耗运行。 该产品广泛应用于电源开关、电池保护电路和负载驱动系统， 是工程师设计高效节能电路的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
60
货期
现货
Si2307BDS-T1-E3-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 60 |
Si2307BDS-T1-E3-HXY概述
Si2307BDS-T1-E3 MOS管是一款P沟道MOSFET器件， 采用紧凑耐用的SOT-23封装， 适用于各种小型化设计。 它拥有30V的高工作电压VDSS和4.1A的大电流处理能力， 确保在中高功率应用中的稳定性。 此外， 48mR的导通电阻实现了高效能量转换和低功耗运行。 该产品广泛应用于电源开关、电池保护电路和负载驱动系统， 是工程师设计高效节能电路的理想选择。
Si2307BDS-T1-E3-HXY特性
暂无产品特性。
Si2307BDS-T1-E3-HXY应用领域
暂无应用领域。