Si2305CDS-T1-GE3-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
Si2305CDS-T1-GE3-HXY
Si2305CDS-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET， 采用轻巧的SOT-23封装， 专为小型化电子设备提供高效能解决方案。 该器件拥有以下关键特性最大工作电压VDSS为20V， 确保在高电压环境下稳定运行； 具备5A的漏极电流能力， 满足多种电流需求； 导通电阻RD(on)低至30mΩ， 有助于减少功耗， 提升整体效率。 广泛用于电源转换、负载开关控制和电池保护等场景， 是您理想中的高集成度与节能型MOS管组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
2,220
货期
现货
Si2305CDS-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2220 |
Si2305CDS-T1-GE3-HXY概述
Si2305CDS-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET， 采用轻巧的SOT-23封装， 专为小型化电子设备提供高效能解决方案。 该器件拥有以下关键特性最大工作电压VDSS为20V， 确保在高电压环境下稳定运行； 具备5A的漏极电流能力， 满足多种电流需求； 导通电阻RD(on)低至30mΩ， 有助于减少功耗， 提升整体效率。 广泛用于电源转换、负载开关控制和电池保护等场景， 是您理想中的高集成度与节能型MOS管组件。
Si2305CDS-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
Si2305CDS-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。