Si2304BDS-T1-GE3-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
Si2304BDS-T1-GE3-HXY
Si2304BDS-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOSFET， 采用SOT-23封装， 专为紧凑型电子设备设计。 器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)和4A连续漏极电流(ID)， 提供强大的电流处理能力。 其低至29mΩ的导通电阻(RD(on))， 有利于降低系统功耗并提高能效。 适用于电源转换、电机驱动、负载开关等多种应用场合， 是追求高集成度与节能效果的理想半导体组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
20
货期
现货
Si2304BDS-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
Si2304BDS-T1-GE3-HXY概述
Si2304BDS-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOSFET， 采用SOT-23封装， 专为紧凑型电子设备设计。 器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)和4A连续漏极电流(ID)， 提供强大的电流处理能力。 其低至29mΩ的导通电阻(RD(on))， 有利于降低系统功耗并提高能效。 适用于电源转换、电机驱动、负载开关等多种应用场合， 是追求高集成度与节能效果的理想半导体组件。
Si2304BDS-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
Si2304BDS-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。