Si2304BDS-T1-E3-HXY

Si2304BDS-T1-E3 是一款N沟道MOSFET， 采用小型SOT-23封装， 专为紧凑型电路设计提供高效能解决方案。 器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)， 并能承载4A的连续漏极电流(ID)， 确保强大的电流处理能力。 其导通电阻(RD(on))仅为29mΩ， 有效降低系统功耗， 提升能效表现。 广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场景， 是理想的高集成度、低电阻半导体组件。