Si2302DS-HXY

Si2302DS 是一款高效N沟道MOSFET， 采用小型化SOT-23封装， 专为高能效和低功耗电子应用设计。 器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)， 并能稳定承载2.3A的连续漏极电流(ID)， 其48mΩ的导通电阻(RD(on))确保了在低功耗下仍具有出色的电能转换效率。 广泛应用于电源转换、负载开关、电池保护系统等领域， 是构建小型化、节能型电子解决方案的理想半导体元件。