Si2302CDS-T1-GE3-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
Si2302CDS-T1-GE3-HXY
Si2302CDS-T1-GE3 型号MOS管采用微型SOT-23封装， 内置先进N沟道技术， 专为优化电路效率而生。 该器件工作在20V的漏源电压(VDSS)下， 可承载最大2.3A的连续漏极电流(ID)， 适合于中小功率应用场合。 尤为突出的是其48mR的低导通电阻(RD(on))， 有效减少功率损耗， 提升系统效能。 广泛应用于电源转换、负载开关控制及低压电子设备的开关电路中， 是您提升产品性能与节能效果的理想半导体元件选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
2,120
货期
现货
Si2302CDS-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2120 |
Si2302CDS-T1-GE3-HXY概述
Si2302CDS-T1-GE3 型号MOS管采用微型SOT-23封装， 内置先进N沟道技术， 专为优化电路效率而生。 该器件工作在20V的漏源电压(VDSS)下， 可承载最大2.3A的连续漏极电流(ID)， 适合于中小功率应用场合。 尤为突出的是其48mR的低导通电阻(RD(on))， 有效减少功率损耗， 提升系统效能。 广泛应用于电源转换、负载开关控制及低压电子设备的开关电路中， 是您提升产品性能与节能效果的理想半导体元件选择。
Si2302CDS-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
Si2302CDS-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。