Si2302CDS-T1-E3-HXY

Si2302CDS-T1-E3 型号MOS管， 采用小巧SOT-23封装， 内含高性能N沟道技术， 专为高效率电路设计。 器件具有20V的漏源电压(VDSS)， 能够承载高达2.3A的连续漏极电流(ID)， 适用于多种中小功率应用场合。 其导通电阻仅为48mR(RD(on))， 确保了较低的功率损耗和较高的系统效能。 广泛应用于电源管理、负载开关及低压开关电路中， 是您提升电子设备性能的理想半导体组件。