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Si2301BDS-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

Si2301BDS-HXY

此场效应管为P型, 电流3A, 可满足小功率需求。 电压20V, 能在特定电路中稳定运行。 内阻典型值60mR, 能量损耗处于一定水平。 VGS为12V。 在消费电子领域, 可用于一些对电流要求不高的电子设备进行电流控制。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

3,120

货期

现货

Si2301BDS-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存3120

Si2301BDS-HXY概述

此场效应管为P型, 电流3A, 可满足小功率需求。 电压20V, 能在特定电路中稳定运行。 内阻典型值60mR, 能量损耗处于一定水平。 VGS为12V。 在消费电子领域, 可用于一些对电流要求不高的电子设备进行电流控制。

Si2301BDS-HXY特性

暂无产品特性。

Si2301BDS-HXY应用领域

暂无应用领域。

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