Si2301BDS-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
Si2301BDS-HXY
此场效应管为P型, 电流3A, 可满足小功率需求。 电压20V, 能在特定电路中稳定运行。 内阻典型值60mR, 能量损耗处于一定水平。 VGS为12V。 在消费电子领域, 可用于一些对电流要求不高的电子设备进行电流控制。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
3,120
货期
现货
Si2301BDS-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3120 |
Si2301BDS-HXY概述
此场效应管为P型, 电流3A, 可满足小功率需求。 电压20V, 能在特定电路中稳定运行。 内阻典型值60mR, 能量损耗处于一定水平。 VGS为12V。 在消费电子领域, 可用于一些对电流要求不高的电子设备进行电流控制。
Si2301BDS-HXY特性
暂无产品特性。
Si2301BDS-HXY应用领域
暂无应用领域。
