Si2301ADS-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
Si2301ADS-HXY
型号Si2301ADS 的P沟道MOS管采用紧凑型SOT-23封装, 特别适合小型化电子产品设计。 该器件提供稳定可靠的性能, 工作电压VDSS高达20V, 连续电流ID可达2.3A, 满足中低电压大电流应用场景。 导通电阻RD(on)低至95mR, 有效减少功率损耗, 提升整体能效。 广泛应用于电源转换、负载开关、逻辑电平转换器等各类电路设计中, 是工程师构建高效节能系统的理想MOS管选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
140
货期
现货
Si2301ADS-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 140 |
Si2301ADS-HXY概述
型号Si2301ADS 的P沟道MOS管采用紧凑型SOT-23封装, 特别适合小型化电子产品设计。 该器件提供稳定可靠的性能, 工作电压VDSS高达20V, 连续电流ID可达2.3A, 满足中低电压大电流应用场景。 导通电阻RD(on)低至95mR, 有效减少功率损耗, 提升整体能效。 广泛应用于电源转换、负载开关、逻辑电平转换器等各类电路设计中, 是工程师构建高效节能系统的理想MOS管选择。
Si2301ADS-HXY特性
暂无产品特性。
Si2301ADS-HXY应用领域
暂无应用领域。
