SZMMBZ18VALT1G-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
SZMMBZ18VALT1G-HXY
该静电和浪涌保护器件采用单向(Uni)结构, 具备1.6A的峰值脉冲电流(IPP)能力, 能够有效吸收静电放电(ESD)及瞬态电压干扰带来的能量冲击。 其反向工作电压(VRWM)为14.5V, 适用于中压信号线路的保护需求。 器件提供2通道(LINE)配置, 可同时保护多路信号线, 提升系统稳定性。 凭借紧凑的封装与高效的响应速度, 该产品适合用于各类电子设备中的敏感电路防护, 保障设备在复杂电磁环境下的可靠运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
2,660
货期
现货
SZMMBZ18VALT1G-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 2660 |
SZMMBZ18VALT1G-HXY概述
该静电和浪涌保护器件采用单向(Uni)结构, 具备1.6A的峰值脉冲电流(IPP)能力, 能够有效吸收静电放电(ESD)及瞬态电压干扰带来的能量冲击。 其反向工作电压(VRWM)为14.5V, 适用于中压信号线路的保护需求。 器件提供2通道(LINE)配置, 可同时保护多路信号线, 提升系统稳定性。 凭借紧凑的封装与高效的响应速度, 该产品适合用于各类电子设备中的敏感电路防护, 保障设备在复杂电磁环境下的可靠运行。
SZMMBZ18VALT1G-HXY特性
暂无产品特性。
SZMMBZ18VALT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
