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SZMMBZ18VALT1G-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

SZMMBZ18VALT1G-HXY

该静电和浪涌保护器件采用单向(Uni)结构, 具备1.6A的峰值脉冲电流(IPP)能力, 能够有效吸收静电放电(ESD)及瞬态电压干扰带来的能量冲击。 其反向工作电压(VRWM)为14.5V, 适用于中压信号线路的保护需求。 器件提供2通道(LINE)配置, 可同时保护多路信号线, 提升系统稳定性。 凭借紧凑的封装与高效的响应速度, 该产品适合用于各类电子设备中的敏感电路防护, 保障设备在复杂电磁环境下的可靠运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

2,660

货期

现货

SZMMBZ18VALT1G-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类稳压二极管
库存2660

SZMMBZ18VALT1G-HXY概述

该静电和浪涌保护器件采用单向(Uni)结构, 具备1.6A的峰值脉冲电流(IPP)能力, 能够有效吸收静电放电(ESD)及瞬态电压干扰带来的能量冲击。 其反向工作电压(VRWM)为14.5V, 适用于中压信号线路的保护需求。 器件提供2通道(LINE)配置, 可同时保护多路信号线, 提升系统稳定性。 凭借紧凑的封装与高效的响应速度, 该产品适合用于各类电子设备中的敏感电路防护, 保障设备在复杂电磁环境下的可靠运行。

SZMMBZ18VALT1G-HXY特性

暂无产品特性。

SZMMBZ18VALT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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