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SZMMBZ15VALT1G-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

SZMMBZ15VALT1G-HXY

该静电和浪涌保护器件采用单向(Uni)结构, 具备1.9A的峰值脉冲电流(IPP)承受能力, 可快速泄放静电及瞬态过电压能量, 保障后级电路安全。 其反向工作电压(VRWM)为12V, 适用于中低电压信号线路的防护需求。 器件集成2通道(LINE)设计, 支持多路信号线同时保护, 节省空间并提升布局灵活性。 该产品适用于各类电子设备中对敏感电路进行电压抑制与瞬态保护的应用场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

2,260

货期

现货

SZMMBZ15VALT1G-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类稳压二极管
库存2260

SZMMBZ15VALT1G-HXY概述

该静电和浪涌保护器件采用单向(Uni)结构, 具备1.9A的峰值脉冲电流(IPP)承受能力, 可快速泄放静电及瞬态过电压能量, 保障后级电路安全。 其反向工作电压(VRWM)为12V, 适用于中低电压信号线路的防护需求。 器件集成2通道(LINE)设计, 支持多路信号线同时保护, 节省空间并提升布局灵活性。 该产品适用于各类电子设备中对敏感电路进行电压抑制与瞬态保护的应用场景。

SZMMBZ15VALT1G-HXY特性

暂无产品特性。

SZMMBZ15VALT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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