SZMMBZ15VALT1G-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
SZMMBZ15VALT1G-HXY
该静电和浪涌保护器件采用单向(Uni)结构, 具备1.9A的峰值脉冲电流(IPP)承受能力, 可快速泄放静电及瞬态过电压能量, 保障后级电路安全。 其反向工作电压(VRWM)为12V, 适用于中低电压信号线路的防护需求。 器件集成2通道(LINE)设计, 支持多路信号线同时保护, 节省空间并提升布局灵活性。 该产品适用于各类电子设备中对敏感电路进行电压抑制与瞬态保护的应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
2,260
货期
现货
SZMMBZ15VALT1G-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 2260 |
SZMMBZ15VALT1G-HXY概述
该静电和浪涌保护器件采用单向(Uni)结构, 具备1.9A的峰值脉冲电流(IPP)承受能力, 可快速泄放静电及瞬态过电压能量, 保障后级电路安全。 其反向工作电压(VRWM)为12V, 适用于中低电压信号线路的防护需求。 器件集成2通道(LINE)设计, 支持多路信号线同时保护, 节省空间并提升布局灵活性。 该产品适用于各类电子设备中对敏感电路进行电压抑制与瞬态保护的应用场景。
SZMMBZ15VALT1G-HXY特性
暂无产品特性。
SZMMBZ15VALT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
