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SZESDR0502BT1G-HXY
IC

SOT-523

可供量大可议

SZESDR0502BT1G-HXY

此款静电和浪涌保护器件专为敏感电路提供防护, 其最大脉冲峰值电流IPP可达4A, 确保在遭遇瞬时高能冲击时仍能稳定工作。 击穿电压VRWM设定为5V, 有效保障了内部电路免受异常电压波动的影响。 电容CJ仅为0.5皮法(pF), 对信号的干扰极小, 特别适用于高速数据线的保护。 该保护元件采用2通道设计, 支持独立或并行应用, 单向(Uni-directional)结构简化了电路设计。 适用于各种需要精细保护电子接口的应用场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-523

库存

50

货期

现货

SZESDR0502BT1G-HXY参数

封装SOT-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存50

SZESDR0502BT1G-HXY概述

此款静电和浪涌保护器件专为敏感电路提供防护, 其最大脉冲峰值电流IPP可达4A, 确保在遭遇瞬时高能冲击时仍能稳定工作。 击穿电压VRWM设定为5V, 有效保障了内部电路免受异常电压波动的影响。 电容CJ仅为0.5皮法(pF), 对信号的干扰极小, 特别适用于高速数据线的保护。 该保护元件采用2通道设计, 支持独立或并行应用, 单向(Uni-directional)结构简化了电路设计。 适用于各种需要精细保护电子接口的应用场合。

SZESDR0502BT1G-HXY特性

暂无产品特性。

SZESDR0502BT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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