SZESDR0502BT1G-HXY
IC
SOT-523
可供量大可议
SZESDR0502BT1G-HXY
此款静电和浪涌保护器件专为敏感电路提供防护, 其最大脉冲峰值电流IPP可达4A, 确保在遭遇瞬时高能冲击时仍能稳定工作。 击穿电压VRWM设定为5V, 有效保障了内部电路免受异常电压波动的影响。 电容CJ仅为0.5皮法(pF), 对信号的干扰极小, 特别适用于高速数据线的保护。 该保护元件采用2通道设计, 支持独立或并行应用, 单向(Uni-directional)结构简化了电路设计。 适用于各种需要精细保护电子接口的应用场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-523
库存
50
货期
现货
SZESDR0502BT1G-HXY参数
| 封装 | SOT-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
SZESDR0502BT1G-HXY概述
此款静电和浪涌保护器件专为敏感电路提供防护, 其最大脉冲峰值电流IPP可达4A, 确保在遭遇瞬时高能冲击时仍能稳定工作。 击穿电压VRWM设定为5V, 有效保障了内部电路免受异常电压波动的影响。 电容CJ仅为0.5皮法(pF), 对信号的干扰极小, 特别适用于高速数据线的保护。 该保护元件采用2通道设计, 支持独立或并行应用, 单向(Uni-directional)结构简化了电路设计。 适用于各种需要精细保护电子接口的应用场合。
SZESDR0502BT1G-HXY特性
暂无产品特性。
SZESDR0502BT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
